据韩国 Chosunbiz 最新消息，三星电子在高带宽存储器(HBM)领域取得关键突破，此前近两年性能与良率不稳定的 HBM3E 12 层堆叠产品，目前已实现量产级稳定表现，供货规模有望大幅扩张。
产业层面传来新动向，负责谷歌 TPU 芯片设计的博通正商议提高三星该款 12 层产品的供应占比。据悉，谷歌第 7 代 TPU 已同步采用三星与 SK 海力士的 HBM3E 8 层产品，而性能升级后的改良版 TPU 7E，计划直接搭载三星 HBM3E 12 层产品，目前相关产品已进入量产测试阶段，双方性能指标被业内认为已基本持平，三星有望成为博通首选供应商。
这一突破离不开三星的技术调整与合作策略。此前因未能通过英伟达严格质量测试，三星在 HBM 市场长期落后于 SK 海力士。在 DRAM 开发负责人黄尚俊主导下，三星重新设计了 HBM 所用 DRAM(D1a)，并通过与博通深度合作，逐步实现产品稳定性提升。
相较于英伟达对性能极限的极致追求，博通更注重客户需求适配与成本控制，这与三星灵活的报价策略形成契合。据悉，三星 HBM3E 供货单价较 SK 海力士同类产品低约 20%，加之供货规模调整灵活，不仅获得博通青睐，也正在重塑全球 HBM 供应格局，为三星缩小市场差距奠定基础。而 HBM3E 12 层产品对 GPU 性能提升及大语言模型运行的关键作用，也使其成为市场竞争的核心焦点。
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